S příchodem paměti 3D NAND zhruba před deseti lety se kapacita SSD disků rychle zvyšovala a cena za 1 GB neustále klesala. Proto dnes naprostá většina klientských počítačů používá disky SSD. IEEE věří, že tento trend bude v příštích letech pokračovat a do roku 2029 se úložná kapacita SSD disků zvýší nejméně čtyřnásobně.
Důvod, proč se kapacita 3D NAND zvyšuje, je mnohostranný. Na jedné straně se v průběhu let zvýšil počet aktivních vrstev NAND a na druhé straně se počet bitů uložených v jedné buňce paměti NAND zvýšil ze dvou na tři (tříúrovňová buňka, TLC) a čtyři (čtyřúrovňová buňka, QLC). Obě inovace proběhly v průběhu času a byly pečlivě propočítány tak, aby bylo dosaženo ekonomických cílů týkajících se nákladů na jeden TB.
Žijeme v roce 2024. Paměťová zařízení QLC NAND s kapacitou 2 TB jsou snadno dostupná a umožňují používat některé z nejlepších běžných 2TB SSD disků na světě, které jim poskytují 2 TB surového úložného prostoru. Plán IEEE počítá se 4Tb zařízeními 3D NAND do roku 2027, což zdvojnásobí kapacitu běžných SSD disků. V roce 2029 se pak očekává čtyřnásobné zvýšení kapacity, protože průmysl přejde na 8Tb paměťová zařízení NAND. Vzhledem k tomu očekávejte, že kapacita mainstreamových SSD disků se do roku 2028 zečtyřnásobí, i když spekulujeme.
Pokud jde o počet aktivních vrstev, jsme uprostřed 200 a 300 vrstev, v závislosti na výrobci, ale IEEE předpovídá 500+ v roce 2027. Společnosti jako Samsung a SK Hynix pak předpovídají 1000+ vrstev, což se respektovaný institut rozhodl nepředpovídat.
Na rozdíl od předpovědí vývoje pevných disků je nový plán IEEE International Roadmap for Devices and Systems Mass Data Storage nejasný, pokud jde o to, čeho má být dosaženo, pokud jde o hustotu ukládání dat. A také počet aktivních vrstev NAND a další architektury pamětí NAND. IEEE ani nenazývá QLC jako QLC; nazývá ji TLC+, což možná naznačuje možnosti přesahující i QLC (4-úrovňové nabíjení), případně až 5-úrovňové nabíjení PLC (penta level cell).
„Cesta k dalšímu zvyšování hustoty a snižování nákladů na bit bude zahrnovat minimalizaci růstu počtu vrstev, zvyšování hustoty paměťových buněk na vrstvu (zvyšování plošné hustoty na vrstvu), zmenšování velikosti otvorů, ve kterých jsou paměťové buňky vyráběny, zvyšování počtu bitů uložených na tranzistor [tříúrovňová buňka (TLC) na QLC na PLC] a zachování rovnoměrného leptání s vysokým poměrem stran pro každý paměťový otvor. Jedná se o konstrukční a výrobní problémy, které je třeba vyřešit, aby byla zachována vysoká výrobní výtěžnost nezbytná pro ziskovou výrobu.“
Zdroj: tomshardware.com
Zdroj: DATACENTER NETWORK NEWS
